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电子元器件详细资料 » IC[24602] » MIMD10A-7-F
型号:MIMD10A-7-F类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:Diodes Inc
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS PREB NPN/PNP R1/R2 SOT363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS PREB NPN/PNP R1/R2 SOT363
系列-
制造商Diodes Inc
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA,500mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧222100,10k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换250MHz,200MHz
功率_最大200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市大唐盛世半导体有限公司张先生13008842056
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市华斯顿科技有限公司销售部1部0755-83777607/83777708/82799993
深圳市恒意法电子有限公司朱小姐 刘小姐18026926850/0755-83247709/0755-83247721
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